오늘날 3세대 반도체 소재의 산업화가 가속화됨에 따라, 탄화규소(SiC)는 높은 전력 밀도, 고압 및 고온 저항성, 낮은 에너지 소비 등의 핵심 장점을 바탕으로 기존의 고온 응용 분야를 넘어 반도체 및 신에너지와 같은 전략적 신흥 산업에 본격적으로 진출하고 있습니다. 30년 동안 탄화규소 분야를 선도해 온 선양 스타라이트 테크놀로지 세라믹스는 중국 탄화규소 산업의 발상부터 성장에 이르기까지 전 과정을 지켜보고 참여해 왔으며, 심도 있는 기술 축적과 지속적인 혁신을 통해 제품 응용 분야의 해외 진출을 성공적으로 실현하여 반도체 제조 분야에서 국내 대체재의 기준을 제시했습니다. 탄화규소 소재의 우수한 특성은 선양 스타라이트가 해외 진출을 성공적으로 이끌어 온 핵심적인 원동력입니다. 최대 2730°C의 융점을 가진 탄화규소는 1600°C 이하의 고온에서 장기간 사용 후에도 구조적 안정성을 유지할 수 있으며, 열팽창 계수는 4.0×10⁻⁶/K에 불과하고 열전도율은 120~150 W/(m·K)로 매우 높아 반도체 제조의 가혹한 환경에 완벽하게 적합합니다. 기존 실리콘 기반 소재와 비교했을 때, 탄화규소는 화학적 부식 저항성이 뛰어나고 입자 방출량이 적어 웨이퍼 제조와 같은 정밀 가공에서 대체 불가능한 장점을 제공합니다. 12인치 웨이퍼의 결정 성장 공정에서 당사가 생산하는 탄화규소 도가니 지지대는 1400°C 이상의 고온에서도 안정적으로 하중을 견딜 수 있어 석영 도가니의 연화 및 기울어짐을 방지합니다. 또한 슬라이싱, 연삭 등의 공정에서 탄화규소 세라믹 지그 및 연삭 디스크는 높은 경도와 낮은 오염 특성으로 웨이퍼 두께 오차를 마이크론 수준으로 제어하여 칩 수율을 크게 향상시킵니다. 선양 스타라이트는 30년간의 심도 있는 기술력 축적을 바탕으로 전통적인 고온 분야에서 반도체 분야로 성공적으로 도약했습니다. 1990년대 초부터 탄화규소 세라믹의 기초 연구 개발에 주력해 온 선양 스타라이트는 반도체 산업의 소재 성능 요구 사항이 지속적으로 향상됨에 따라 웨이퍼 제조 공정 전반에 걸쳐 제품군을 확장해 왔습니다. 현재 선양 스타라이트의 탄화규소 제품은 결정 성장 열처리 부품, 슬라이싱 가이드 링, 연마 패드 지지대 등 핵심 부품에 적용되어 고전압 고출력 반도체 소자 제조에 사용되는 기존 금속 및 일반 세라믹 소재를 대체하고 있으며, 기존 소재의 부식 용이성 및 치수 안정성 저하와 같은 업계의 문제점을 해결하고 있습니다.특히 SiC IGBT와 같은 고성능 소자 생산에 있어, 당사가 제공하는 탄화규소 기판 지지 재료는 18kV 이상의 고전압 소자를 중국에서 국산화하는 데 핵심적인 보장책이 됩니다.

인재는 기술 혁신의 핵심 원동력입니다. 선양 스타라이트는 최신 산업 동향에 맞춰 직원 역량 강화에 지속적으로 투자하고 있습니다. 반도체 분야의 급속한 기술 발전에 대응하여, 업계 전문가를 초빙해 3세대 반도체 소재 응용, 8인치/12인치 웨이퍼 가공 기술 등의 주제로 전문 강연을 진행하고, 저온 오믹 접촉, 트렌치 공정 등 최신 기술 발전을 연구하는 기술팀을 구성하는 등 지속적인 교육 체계를 구축했습니다. 연구 기관과의 기술 교류 및 업계 정상 회의 참여를 통해 스마트 그리드, 신에너지 자동차 등 다양한 응용 분야의 수요 변화를 지속적으로 파악하고, 제품 개발이 시장 요구에 부합하도록 노력하고 있습니다. 이러한 '기술 연구 개발 및 인재 육성'의 이중 추진 모델을 통해 선양 스타라이트는 대규모 실리콘 카바이드 소자 응용 분야의 '라스트 마일' 과제를 해결하는 데 있어 경쟁 우위를 유지하고 있습니다. 실리콘 카바이드 산업의 대규모 응용 분야를 선도하는 선양 스타라이트는 30년간 축적해 온 기술력을 바탕으로 반도체 분야의 소재 혁신과 공정 최적화에 주력하여 12인치 실리콘 카바이드 기판 상용화 및 초고전압 소자 응용 등 산업 동향에 발맞춰 나갈 것입니다. 또한 고품질 제품을 통해 중국 반도체 산업의 자율적이고 통제 가능한 발전을 지원하고, 3세대 반도체 소재라는 블루오션 시장에 새로운 장을 열어갈 것입니다.